在開關模式電源供應器中使用氮化鎵技術的考量因素 本文深入探討氮化鎵（GaN）寬能隙開關在開關電源中的應用，分析其低閘極電荷帶來的效率優勢，並針對驅動電壓限制、dv/dt 干擾及死區時間損耗等設計挑戰提供專門驅動器與控制器的解決方案。 #氮化鎵 LTspice MOSFET #開關模式電源 (SMPS) #寬能隙半導體 (WBG) #功率密度 #電源效率 #功率 #LTC7890 GaN
在 LTspice 模擬中使用 GaN FET 模型 本文介紹如何在 LTspice® 模擬中匯入與使用來自不同供應商的氮化鎵（GaN）FET 模型。透過直接將模型嵌入模擬檔案中，可避免繁瑣的元件庫管理，並實現檔案的高可攜性，方便工程師評估 GaN 元件效能並進行協同設計。 #氮化鎵 (GaN) #LTspice #電路模擬 #SPICE模型 #LTC7891 #EPC2218 #寄生元件 #次電路
