在開關模式電源供應器中使用氮化鎵技術的考量因素 本文深入探討氮化鎵(GaN)寬能隙開關在開關電源中的應用,分析其低閘極電荷帶來的效率優勢,並針對驅動電壓限制、dv/dt 干擾及死區時間損耗等設計挑戰提供專門驅動器與控制器的解決方案。 (SMPS) LTspice MOSFET #氮化鎵 #開關模式電源 #寬能隙半導體 (WBG) #功率密度 #電源效率 #功率 #LTC7890 GaN